IRF6637TR1 - Brand New IR Field Effect Tube (MOSFET)
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Description
The IRF6637 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%.
● Lead and Bromide Free
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Ultra Low Package Inductance
● Optimized for High Frequency Switching
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Optimized for both Sync.FET and some Control FET application
● Low Conduction and Switching Losses
● Compatible with existing Surface Mount Techniques -
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- Datasheet: Download IRF6637TR1
- Chipdaten Teil: CD86-IRF6637TR1
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