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Description
This electronic component model SW1008UCR12JG is an N-channel enhancement mode field-effect power transistor. It is designed using SAMWIN semiconductor’s advanced planar stripe, DMOS technology. This transistor is specifically intended for battery-operated systems such as DC-DC converters, motor control, ups, and audio amplifiers. It features a minimized RDS(ON), low gate charge, and high rugged avalanche characteristics.
Specifications and Features
- High ruggedness
- RDS(ON) (Max 5.3mΩ)@VGS=10V
- Gate Charge (Typ 146nC)
- Improved dv/dt Capability
- 100% Avalanche Tested
Application Scenarios
This SW1008UCR12JG transistor is suitable for use in a variety of battery-operated systems, including:
- DC-DC converters
- Motor control
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Audio amplifiers
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Weitere Informationen
- Datasheet: Download SW1008UCR12JG
- Chipdaten Teil: CD94-SW1008UCR12JG
- Lagerhaus: China, Hongkong
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- Letzte Aktualisierung: 2024/10/01 00:06 +0800
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