RF2861TR7 - Brand New IC Chips
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Product Details
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2000 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N–CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
** N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs **
Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1000 to 2400 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in class A and class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.
** • Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts **
Output Power — 60 Watts (PEP)
Power Gain — 9.5 dB
Intermodulation Distortion — –28 dBc
• Typical Two–Tone Performance at 2000 MHz, 26 Volts
Output Power — 60 Watts (PEP)
Power Gain — 10.5 dB
Efficiency — 32%
Intermodulation Distortion — –30 dBc
• S–Parameter Characterization at High Bias Levels
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 60 Watts (CW) Output Power
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters -
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- Chipdaten Teil: CD94-RF2861TR7
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