TN20-3H103JT - Brand New IC Chips
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Description
N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor, also known as TN20-3H103JT, is an electronic component model that falls under the product category of IC Chips. It has a power dissipation of 300 mW and comes in a plastic case SOT-23. The weight of this transistor is approximately 0.01 g and it has a UL classification of 94V-0 for the plastic material. It is commonly packaged in taped and reeled format.
Specifications and features
- Power dissipation: 300 mW
- Plastic case: SOT-23
- Weight: 0.01 g
- UL classification: 94V-0
- Packaging: Taped and reeled
Application Scenarios
The TN20-3H103JT transistor can be used in various applications that require N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistors. Some common scenarios include:
- Amplification circuits
- Switching circuits
- Power management systems
Comparison
Advantages- High power dissipation capability
- Compact size and lightweight
- UL classified plastic material for enhanced safety
Disadvantages- Limited current handling capacity
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Datenblatt
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- Datasheet: Download TN20-3H103JT
- Chipdaten Teil: CD88-TN20-3H103JT
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- Letzte Aktualisierung: 2024/09/08 07:19 +0800
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