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INTRODUCTION
Sharp’s LH28F004SU-Z1 4M Flash Memory is a revolutionary architecture which enables the design of truly mobile, high performance, personal computing and communication products. With innovative capabilities, 5 V single voltage operation and very high read/write performance, the LH28F004SU-Z1 is also the ideal choice for designing embedded mass storage flash memory systems.
FEATURES
• 512K × 8 Word Configuration
• 5 V Write/Erase Operation (5 V VPP)
– No Requirement for DC/DC Converter to Write/Erase
• 100 ns Maximum Access Time
• 32 Independently Lockable Blocks (16K)
• 100,000 Erase Cycles per Block
• Automated Byte Write/Block Erase
– Command User Interface
– Status Register
– RY»/BY» Status Output
• System Performance Enhancement
– Erase Suspend for Read
– Two-Byte Write
– Full Chip Erase
• Data Protection
– Hardware Erase/Write Lockout during Power Transitions
– Software Erase/Write Lockout
• Independently Lockable for Write/Erase on Each Block (Lock Block and Protect Set/Reset)
• 5 µA (Typ.) ICC in CMOS Standby
• 0.2 µA (Typ.) Deep Power-Down
• State-of-the-Art 0.55 µm ETOX™ Flash Technology
• 40-pin, 1.2 mm × 10 mm × 20 mm TSOP (Type I) Package -
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Datenblatt
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