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Description
SVF10N60T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor produced by Silan. It utilizes Silan's proprietary F-Cell™ structure VDMOS technology, which includes an improved planar stripe cell and an improved guard ring terminal. These enhancements reduce on-state resistance, provide superior switching performance, and allow the transistor to withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
Specifications and features
Some key specifications and features of SVF10N60T include:
- Current rating: 12A
- Voltage rating: 600V
- RDS(on)(typ): 0.58Ω @ VGS=10V
- Low gate charge
- Low Crss
- Fast switching
- Improved dv/dt capability
Application Scenarios
SVF10N60T can be used in a variety of applications, including:
- Power electronics
- Switching power supplies
- Motor control
Comparison
Advantages- Low on-state resistance
- Superior switching performance
- High energy pulse withstand capability
Disadvantages- Not suitable for low voltage applications
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Weitere Informationen
- Datasheet: Download SVF10N60T
- Chipdaten Teil: CD91-SVF10N60T
- Lagerhaus: China, Hongkong
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- Letzte Aktualisierung: 2024/09/29 03:36 +0800
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