HN1B01F-GR TE85L - Brand New TOSHIBA Transistors (BJT) - Arrays
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Marke:TOSHIBA
Kategorie:Transistors (BJT) - Arrays
Chipdatas Teilenummer:CD89-HN1B01F-GR TE85L
Hersteller-Teile-Nr.:HN1B01F-GR TE85L
Datumscode:09+
Paket:SOT-163
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Description
The HN1B01F-GR TE85L is an electronic component model in the category of Transistors (BJT) - Arrays. It is specifically designed for audio-frequency general-purpose amplifier applications.Specifications and features
- Q1:
- High voltage and high current:
- VCEO= −50 V, IC = −150 mA (max)
- High hFE : hFE = 120~400
- Excellent hFE linearity:
- hFE(IC= −0.1 mA) / hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) - Q2:
- High voltage and high current:
- VCEO= 50 V, IC = 150 mA (max)
- High hFE : hFE = 120~400
- Excellent hFE linearity:
- hFE(IC= 0.1 mA) / hFE(IC= 2 mA) = 0.95 (typ.)Application Scenarios
The HN1B01F-GR TE85L transistor is commonly used in audio-frequency general-purpose amplifier applications. Its high voltage and high current capabilities make it suitable for amplifying audio signals in various electronic devices.Comparison
Advantages- High voltage and high current capabilities - High hFE (120~400) for efficient amplification - Excellent hFE linearity for accurate signal reproductionDisadvantages- None mentioned in the provided information. -
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- Datasheet: Download HN1B01F-GR TE85L
- Chipdaten Teil: CD89-HN1B01F-GR TE85L
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