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FEATURES
• InGaP HBT Technology
• High Efficiency:
• 35 % @ POUT= +27.5 dBm
• 16 % @ POUT= +15 dBm
• 8 % @ POUT= +9 dBm
• Low Quiescent Current: 4 mA
• Internal Voltage Regulation
• Built-in Directional Coupler
• Common VMODEControl Line
• Suitable for SMPS and average power tracking systems with variable supply voltages
• APT can reduce TS.09 average power consumption more than 25%
• Reduced External Component Count
• Thin Package: 0.9 mm
• RoHS Compliant Package, 260°C MSL-3****
APPLICATIONS
• Dual-band Wireless Handsets and Data Devices for LTE/CDMA/EVDO networks:
• UMTS Band 5, 6, 18, 19, & 26
• UMTS Band 2 & 25
• Cellular BC 0 and 10
• PCS BC 1 and 14 -
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- Datasheet: Download ALT6705RM45Q7
- Chipdaten Teil: CD93-ALT6705RM45Q7
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- Letzte Aktualisierung: 2024/09/20 09:03 +0800
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