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SUMMARY DESCRIPTION
The M29W102B is a 1 Mbit (64Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM.
**■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ
OPERATIONS**
■ ACCESS TIME: 50ns
■ PROGRAMMING TIME
– 10µs per Word typical
■ 5 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 2 Main Blocks
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Word Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during Erase Suspend
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE
■ LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK
■ M28F102 COMPATIBLE
– Pin-out and Read Mode
■ 20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
■ ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29W102BT: 0099h
– Bottom Device Code M29W102BB: 0098h -
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- Datasheet: Download M29W102BB70N1
- Chipdaten Teil: CD90-M29W102BB70N1
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