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Description
The SGM2014M is an N-channel dual gate GaAs MES FET designed for UHF band low-noise amplification. It is suitable for a wide range of applications, including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers.
Specifications and features
- Low voltage operation
- Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz
- High gain: Ga = 18dB (typ.) at 900MHz
- Low cross-modulation
- High stability
- Built-in gate-protection diode
- Standard SOT-143 packageApplication Scenarios
The SGM2014M is suitable for UHF band amplifiers, mixers, and oscillators.
Comparison
Advantages- Low voltage operation
- Low noise
- High gain
- Low cross-modulation
- High stability
- Built-in gate-protection diode
- Standard SOT-143 packageDisadvantagesNo specific disadvantages have been reported for the SGM2014M model.
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- Datasheet: Download SGM2014M
- Chipdaten Teil: CD94-SGM2014M
- Lagerhaus: China, Hongkong
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- Letzte Aktualisierung: 2024/09/28 17:31 +0800
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