TP2535N3-G - Brand New MICROCHIP MOSFETs
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This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage. Similar models TP2640N3-G, VP2450N3-G, TN2640K4-G. TN2640N3-G, TN5335K1-G, TP2640LG-G, TP5335K1-G, VN2460N3-G, VN4012L-G
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