BSP103 - Brand New NXP Semiconductors Spiral Wrap, Expandable Sleeving
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Description
Electronic Component Model: BSP103 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using 'trench' technology. It has a VDSS of 30V and ID of 6A. The RDS(ON) is ≤ 100 mΩ (VGS = 10V) and ≤ 200 mΩ (VGS = 4.5V). It features low on-state resistance, fast switching, high thermal cycling performance, and low thermal resistance. The BSP100 is supplied in the SOT223 surface mounting package.
Specifications and features
VDSS = 30V
ID = 6A
RDS(ON) ≤ 100 mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) ≤ 200 mΩ (VGS = 4.5V)
'Trench' technology
Low on-state resistance
Fast switching
High thermal cycling performance
Low thermal resistance
Application Scenarios
Motor and relay drivers
d.c. to d.c. converters
Logic level translator
Comparison
Advantages- 'Trench' technology for improved performance
- Low thermal resistance for efficient heat dissipation
Disadvantages- No specific disadvantages identified
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